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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發(fā)展，酸霧吸收塔，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，酸霧吸收塔生產(chǎn)，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，酸霧吸收塔廠，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，酸霧吸收塔廠家，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
用于復印機和打印機等的帶電輥、顯影輥、色粉供給輥、轉(zhuǎn)印輥等都必須具備適當?shù)姆€(wěn)定的電阻值。
以往，使上述輥筒具有導電性的方法包括采用在橡膠中混入了金屬氧化物粉末和碳黑等導電性填充劑的電子導電性橡膠的方法；采用聚氨酯橡膠、表氯橡膠等離子導電性橡膠(聚合物)或含有季銨鹽等離子導電材料的離子導電性聚合物的組合物的方法。
但是靶材制作困難，這是因為氧化銦不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。
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第9年
